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Dépôts de TaNx par pulvérisation cathodique magnétron à fort taux d’ionisation de la vapeur pulvérisée
Chengfei Jin
films
pcm
hipims
tanx
d’azote
taux
magnétron
pression
tension
plasma
substrat
ipvd
procédé
minces
courant
cible
atomes
pulvérisation
décharge
surface
résistivité
µs
composition
masse
vitesse
cathodique
appliquée
densité
deposition
diffusion
faible
boucle
propriétés
polarisation
volumique
croissance
d’ionisation
augmente
déposés
liaison
moyenne
pic
obtenus
électrons
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